[发明专利]射频前端模块中有源器件和无源单晶器件及单片集成方法

摘要

本发明公开了一种射频前端模块中有源器件和无源单晶器件及单片集成方法。所述方法包括：在基板上先外延生长第一单晶功能层，接着生长第二第三甚至更多单晶外延层，经MEMS工艺将第一单晶外延层制备成一个或多个无源滤波器器件，对第二第三甚至更多单晶外延层进行加工处理获得一个或多个放大器或低噪声放大器或开关等，接着整面生长钝化层并抛平。与此同时在另一基板上制备键合层，将基板与另一基板进行对准键合，去除或减薄基板，继续进行MEMS工艺加工，完成不同功能芯片元器件的集成。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。

主权项

1.射频前端模块中有源器件和无源单晶器件单片集成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）选第一基板作为外延生长衬底，在所述外延生长衬底上从下到上依次生长第一单晶层、第二单晶层和第三单晶层；/n（2）在第三单晶层上表面进行选区刻蚀，从上到下刻蚀至第二单晶层，暴露出部分第一单晶层上表面；在暴露出的部分第一单晶层上表面上制备底电极；/n（3）在第三单晶层上表面靠近底电极的一端制备源极，源极与第三单晶层和底电极均相连，第三单晶层上表面另一端制备漏极，栅极在第三单晶层上表面位于漏极和源极之间；/n（4）在漏极、源极和栅极上，第三单晶层上表面连接漏极、源极和栅极以外的区域，底电极上表面连接源极以外的区域，暴露的部分第一单晶层上表面连接底电极以外的区域沉积一层钝化保护层，然后刻蚀掉底电极上表面连接源极以外的部分区域上的钝化保护层，暴露出部分底电极上表面，在钝化保护层中形成第一空腔；/n（5）另取第二基板，在第二基板上制备一层键合层，倒置步骤（4）处理后的第一基板，将第一基板上的钝化保护层和第二基板上的键合层进行键合；/n（6）去除第一基板，暴露出第一单晶层，在暴露出的第一单晶层上沉积一层高绝缘层，并图形化处理，去除底电极所在位置相对的绝缘层，暴露部分第一单晶层；/n（7）在步骤（6）暴露的第一单晶层和绝缘层上制备顶电极，即顶电极和第一单晶层与绝缘层分别连接；/n（8）在绝缘层上和漏极及栅极相对的位置处引通孔并制备分别与漏极和栅极互连的金属，并分别形成第一触点和第二触点；在绝缘层上和源极相对的位置处制备与顶电极相连的第三触点。/n