[发明专利]优化通孔层工艺窗口的辅助图形及方法有效
| 申请号： | 201910810196.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110456610B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李珊珊;陈燕鹏;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化通孔层工艺窗口的方法，首先对版图图形进行基于规则的OPC修正得到新的目标图形，在新的目标图形中添加亚分辨率辅助图形，然后找出其中工艺窗口过小的部分，把这些“坏点”截取出来，局部做反演光刻技术，得到最佳的布局图案，得到最佳SRAF的宽度选择（SBW1、SBW2）和位置选择（S2M、S2S），另外采用类环形的SRAF环绕在通孔四周，既能满足mask shop工艺制造的要求，也能提高通孔层的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 通孔层 工艺 窗口 辅助 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化通孔层工艺窗口的辅助图形，是适用于掩膜版中用于光学邻近效应修正，其特征在于：所述辅助图形为封闭的结构，还具有主图形位于所述辅助图形的中心区域，所述辅助图形位于主图形的外围，形成封闭的包围结构；/n所述辅助图形为至少两层的多层嵌套的封闭结构，各层结构之间具有一定的间距。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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