[发明专利]单片式晶圆湿法刻蚀设备和方法在审
| 申请号： | 201910810231.1 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110473813A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 谢玟茜;刘玫诤;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片式晶圆湿法刻蚀设备，包括：刻蚀液喷射装置，机械手臂，背面温度控制装置；机械手臂用于晶圆取放；刻蚀液喷射装置具有喷嘴，喷嘴用于在进行晶圆的湿法刻蚀时将刻蚀液注入到晶圆的正面表面上；刻蚀液用于对晶圆正面上的被刻蚀材料进行刻蚀且刻蚀速率具有温度敏感性；背面温度控制装置用于在进行晶圆的湿法刻蚀时从晶圆背面进行温度控制，使晶圆各区域的温度均匀且稳定并从而提高刻蚀均匀性。本发明还公开了一种单片式晶圆湿法刻蚀方法。本发明能提高湿法刻蚀的均匀性，减少刻蚀对晶圆表面的损伤，具有能在短时间内提高湿法刻蚀的均匀性、能减少刻蚀液化学品的使用量以及能良好控制和提高工艺稳定性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 湿法刻蚀 刻蚀液 刻蚀 温度控制装置 机械手臂 喷射装置 喷嘴 单片式 均匀性 背面 湿法刻蚀设备 工艺稳定性 刻蚀均匀性 温度敏感性 晶圆背面 晶圆表面 晶圆正面 刻蚀材料 温度均匀 正面表面 化学品 取放 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：刻蚀液喷射装置，机械手臂，背面温度控制装置；/n所述机械手臂用于晶圆取放；/n所述刻蚀液喷射装置具有喷嘴，所述喷嘴用于在进行所述晶圆的湿法刻蚀时将刻蚀液注入到所述晶圆的正面表面上；/n所述刻蚀液用于对所述晶圆正面上的被刻蚀材料进行刻蚀且刻蚀速率具有温度敏感性；/n所述背面温度控制装置用于在进行所述晶圆的湿法刻蚀时从所述晶圆背面进行温度控制，使所述晶圆各区域的温度均匀且稳定并从而提高刻蚀均匀性。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
