[发明专利]空穴传输材料、电致发光器件及空穴传输材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910810529.2 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110590782A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 罗佳佳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C07D487/04 | 分类号： | C07D487/04;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种空穴传输材料、电致发光器件及空穴传输材料的制备方法。空穴传输材料为基于二并咔唑的空穴传输材料，其包含氮元素的芳香族有机基团。所述空穴传输材料通过反应液配制步骤、空穴传输材料合成步骤、萃取步骤、分离提纯步骤制得，并应用于电致发光器件的空穴传输层，该空穴传输层具有非常高的空穴迁移率，提高了有机电致发光器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴传输材料 电致发光器件 空穴传输层 有机电致发光器件 芳香族有机基团 空穴迁移率 发光效率 分离提纯 合成步骤 萃取步骤 氮元素 制备 咔唑 配制 应用 | ||
【主权项】：
1.一种空穴传输材料，其特征在于，其化学结构通式如下：/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910810529.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
