[发明专利]一种锡基二元共晶相分离的有限元模拟方法有效
| 申请号： | 201910811200.8 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110516378B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 秦红波;文泉璋;郭磊;刘天寒;邝田锋;梁正超;李祎康 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张洋 |
| 地址： | 541000 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锡基二元共晶相分离的有限元模拟方法，涉及有限元模拟分析技术领域。该方法包括依次进行的模型处理生成锡基二元共晶相的黑白二值图、定义两物相的黑白边界点、确定两物相的黑白边界点的迁移方向并模拟两相分离过程、输出有限元模型并进行求解分析。该方法模拟锡基二元钎料共晶组织中的两种物相产生分离过程，将分离过程中的结果输出到有限元软件中，建立相应的有限元模型，对有限元模型进行求解分析结果，然后通过分析结果，可有效地解决电迁移问题相关研究的局限性，从而有效地对于钎料中微观组织偏析过程的进行表征，进而可通过有限元模拟结果加深对钎料互连中微观组织的电迁移和偏析之间相互作用机制的理解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二元 共晶相 分离 有限元 模拟 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锡基二元共晶相分离的有限元模拟方法，其特征在于：/n包括依次进行的通过模型处理生成锡基二元共晶相的黑白二值图、定义两物相的黑白边界点、确定两物相的黑白边界点的迁移方向并模拟两相分离过程、输出有限元模型并进行求解分析。/n
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