[发明专利]一种基于激光扩散的全背接触IBC电池制备方法及电池

摘要

本发明公开了一种基于激光扩散的全背接触IBC电池制备方法及其电池，涉及太阳能电池技术领域，本发明制备方法包括以下步骤：碱制绒、P扩散、边缘隔离、单面抛光、激光掺杂、前端PSG层和激光损伤层清除、热氧化、沉积SixNy减反膜、激光烧蚀和丝网印刷金属化，本发明制得的电池将正面栅线和发射极都设于电池背面，减少遮光面积，提升了短路电流，本发明通过激光扩散制结和做局域背场，省去了离子注入和光刻做掩膜的工艺，降低了IBC高效电池的制作成本，采用丝网印刷的方式做金属化，省去了掩膜法加电镀做金属化的工艺，降低了IBC高效电池的制作成本和工艺步骤，适用于大规模的高效低成本电池生产。

主权项

1.一种基于激光扩散的全背接触IBC电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：碱制绒：选用一块N型单晶硅片，用热碱对其双面制绒，使N型单晶硅片的正面和背面分别形成绒面层；/nS2：P扩散：用磷源对N型单晶硅片进行双面或单面P扩散，使N型单晶硅片的正面形成FSF；/nS3：边缘隔离：用HF和HNO3的混合溶液去除N型单晶硅片背面以及边缘位置的背结和边结，只保留正面扩散层和扩散层上面的PSG层，作为下一步单面抛光的掩膜；/nS4：单面抛光：用预设浓度的NaOH对N型单晶硅片背面抛光；/nS5：激光掺杂：用皮秒激光器对N型单晶硅片的背面进行掺杂，制作掺硼的发射极和掺磷的局域背场；/nS6：前端PSG层和激光损伤层清除：洗掉N型单晶硅片正面的PSG层，以及洗掉N型单晶硅片背面由于激光掺杂所留下的激光损伤层；/nS7：热氧化：用氧化炉管在N型单晶硅片的正反面生长3-15nm的热氧钝化层；/nS8：沉积SixNy减反膜：用PECVD法在N型单晶硅片的正面沉积SixNy减反膜，SixNy减反膜的厚度为65-95nm；/nS9：激光烧蚀：在N型单晶硅片背面的钝化层上进行激光开窗，并将电极从N区和P区上引出来；/nS10：丝网印刷金属化：用浆料分别与P区和N区接触，进行丝网印刷。/n