[发明专利]一种镁锑基热电元件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910811895.X | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110635020B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 赵怀周;高君玲;李国栋;杨佳伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/10;H01L35/34;H01L35/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种镁锑基热电元件及其制备方法和应用。所述热电元件包括：位于该热电元件中心的镁锑基热电材料基质层、附着在所述基质层的两个表面的过渡层以及分别附着在两个过渡层表面的两个电极层，其中，所述过渡层的材料为铜与钛和/或镁的合金，所述电极层的材料为铜和/或镍。本发明采用离子束溅射和磁控溅射制备出适用于镁锑基热电材料的过渡层和电极层，使得镁锑基热电材料有机会进入市场，实现产业化成为可能。本发明制得的热电器件与市场上现有的碲化铋热电器件相比具有更低的成本，同时还能够节约稀有元素碲，对于节约能源，保护环境方面也是有益的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镁锑基 热电 元件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种镁锑基热电元件，所述镁锑基热电元件包括：位于该热电元件中心的镁锑基热电材料基质层、附着在所述基质层的两个表面的过渡层以及分别附着在两个过渡层表面的两个电极层，其中，所述过渡层的材料为铜与钛和/或镁的合金，所述电极层的材料为铜和/或镍。/n
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