[发明专利]苯并噻吩并苯并噻吩衍生物、包含其的空穴输送材料及使用了其的有机EL元件在审
| 申请号： | 201910812563.3 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110872309A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 笹部久宏;城戸淳二;菊地贵良;渡边雄一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社弗莱斯克 |
| 主分类号： | C07D519/00 | 分类号： | C07D519/00;H01L51/54 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供热稳定性优异、并且提高了载流子迁移率的新型苯并噻吩并苯并噻吩(BTBT)衍生物作为构成有机EL元件的半导体材料、具体而言空穴输送材料。下述通式(1)所表示的苯并噻吩并苯并噻吩衍生物(其中，通式(1)中，R |
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| 搜索关键词： | 噻吩 衍生物 包含 空穴 输送 材料 使用 有机 el 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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