[发明专利]自偏置分裂栅沟槽型功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201910813746.7 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110739345B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 孔谋夫;陈罕之;刘聪;陈星弼 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件领域，尤其涉及分裂栅沟槽型MOS器件，具体为自偏置分裂栅沟槽型功率MOSFET器件；本发明在传统的分裂栅沟槽型MOS器件基础上引入自偏置电压结构，利用栅极控制信号给分裂栅提供自偏置电压，与传统分裂栅沟槽型MOS器件相比，由于自偏置电压的作用，在器件导通时产生了积累层，使器件的比导通电阻有极大的降低。本说明书中，分裂栅自偏置电压的实现分为两种方式，分别为增加外部电路和增加可提供偏置电压的结构，前者的偏置电压来源于栅极的驱动电路，与前者相比，后者具有减少驱动功耗的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 分裂 沟槽 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.自偏置分裂栅沟槽型功率MOSFET器件，包括：/n第一导电类型衬底1，位于第一导电类型衬底1下方的漏极7，位于第一导电类型衬底1上方的第一导电类型漂移区2，位于第一导电类型漂移区2上方的第二导电类型基区3，第二导电类型基区3中形成相邻接的第二导电类型重掺杂区4与第一导电类型重掺杂区5，覆盖于第二导电类型重掺杂区4和第一导电类型重掺杂区5上方的源极10；与第一导电类型漂移区2、第二导电类型基区3及第一导电类型重掺杂区5均邻接的氧化区6，位于氧化区6中的控制栅极9与分裂栅极8；/n其特征在于，所述器件还包括电容C1与二极管D1，其中，所述源极10连接电容C1后与分裂栅极8相连，所述控制栅极9连接二极管D1后与分裂栅极8相连。/n
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