[发明专利]雪崩式的光电晶体元件及其光检测方法在审

专利信息
申请号: 201910814249.9 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN112447875A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 那允中 申请(专利权)人: 光程研创(美商)股份有限公司
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L31/0352;G01J1/44
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 张燕华;祁建国
地址: 美国加利福尼亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种雪崩式的光电晶体元件及其光检测方法。依据一特点,一雪崩式的光电晶体元件包含一检测区域被配置为吸收入射在检测区域的一第一表面上的光线且依据吸收入射光以产生一或多个电荷载子;第一端点与检测区域电性连接且可对于检测区域施加一电压;一过渡掺杂区域;一第二端点与过渡掺杂区域电性连接且可对于过渡掺杂区域施加一电压;一倍增区域被配置为接收自过渡掺杂区域流出的一或多个电荷载子及对应于接收的一或多个电荷载子产生一或多个额外电荷载子;一第三端点与倍增区域电性连接且可对于倍增区域施加一电压,其中,过渡掺杂区域位于检测区域和倍增区域之间。
搜索关键词: 雪崩 光电 晶体 元件 及其 检测 方法
【主权项】:
暂无信息
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