[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201910815234.4 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447604B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈龙阳;吴公一 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干间隔排列的位线结构；形成至少覆盖所述位线结构侧壁的覆盖层；在所述衬底上形成填充满相邻位线结构之间间隙的填充层；刻蚀所述填充层至衬底表面，形成接触孔，所述接触孔与所述覆盖层之间具有部分厚度的填充层；在所述接触孔内形成导电插塞；去除剩余的所述填充层；在所述衬底上填充绝缘层，所述绝缘层封闭所述覆盖层与所述导电插塞之间的空间，在所述覆盖层与所述导电插塞之间形成气隙。所述存储器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
