[发明专利]一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法有效
| 申请号： | 201910815400.0 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110516382B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 马奎;杨发顺;王勇勇;林洁馨;傅兴华 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/30 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 商小川 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法，它包括将三维集成系统分解成单个功率元胞，在该功率元胞中，考虑硅通孔横向热阻和纵向热阻的影响，建立分段热阻模型；根据基尔霍夫定律得出包含上下层芯片温度的矩阵方程；根据传热学中热阻表达方式，建立热阻R |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 直通 三维 集成 系统 解析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法，它包括：/n步骤1、将三维集成系统分解成单个功率元胞，在该功率元胞中，考虑硅通孔横向热阻和纵向热阻的影响，建立分段热阻模型；/n步骤2、以R1和R3表示堆叠系统中顶层芯片和底层芯片硅衬底的热阻，R2和R4表示堆叠系统中顶层键合层和底层键合层的热阻，R5和R6表示散热硅通孔的横向热阻，R7和R8表示散热硅通孔的纵向热阻，根据基尔霍夫定律得出包含上下层芯片温度的矩阵方程；/n步骤3、根据传热学中热阻表达方式，建立热阻R1～R8的表达式；/n步骤4、将热阻R1～R8的表达式代入包含上下层芯片温度的矩阵方程中求解关于温度T的方程组，从而得到三维集成系统中各层芯片的温升情况。/n
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