[发明专利]制备磁性半导体外延薄膜的方法及其制品在审
| 申请号： | 201910815556.9 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110620176A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 康俊杰;王新强;袁冶;王维昀;周生强 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10;H01L43/08;C23C14/58;C23C14/48 |
| 代理公司： | 44218 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备磁性半导体外延薄膜的方法及其制品，本发明的制备方法简单，易于实现，对InAs半导体衬底进行清洁处理，将Fe元素注入InAs半导体衬底或者还将Sn或者Zn元素注入，然后再进行脉冲激光退火，制得无掺杂或Sn/Zn掺杂的(In,Fe)As磁性半导体外延薄膜；本发明科学应用离子注入结合脉冲激光退火将Sn\Zn元素成功进行掺杂改性，材料的磁性能呈现出明显的变化，所制备的磁性半导体外延薄膜具备明显的单晶外延结构，在居里温度下呈现明显的铁磁特性；经实验测试，本发明所制得的磁性半导体外延薄膜在5K温度下具备铁磁性且具备典型的单晶外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性半导体 外延薄膜 制备 退火 单晶外延 脉冲激光 衬底 半导体 掺杂改性 科学应用 清洁处理 实验测试 铁磁特性 掺杂的 磁性能 铁磁性 离子 掺杂 成功 | ||
【主权项】：
1.一种制备磁性半导体外延薄膜的方法，其特征在于：其包括以下步骤：/n(1)清洁处理：对InAs半导体衬底进行清洁处理；/n(2)将Fe元素注入InAs半导体衬底，得到(In,Fe)As非晶薄膜；/n(3)对所述(In,Fe)As非晶薄膜进行脉冲激光退火，制得无掺杂的(In,Fe)As磁性半导体外延薄膜；或者/n将Sn或Zn元素注入(In,Fe)As非晶薄膜，然后进行脉冲激光退火，制得Sn/Zn掺杂的(In,Fe)As的磁性半导体外延薄膜。/n
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