[发明专利]半导体刻蚀设备在审
| 申请号： | 201910816322.6 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447546A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01D46/00;B01D46/12;B01D53/22;B01D53/26 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体刻蚀设备，其包括：大气传送腔，用于容纳被刻蚀物；气体过滤装置，设置在所述大气传送腔的进气口处，所述气体过滤装置包括初级过滤件及次级过滤件，所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经过所述初级过滤件后进入所述过滤通道，并经所述次级过滤件进入所述大气传送腔。本发明的优点在于，将所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经所述初级过滤件过滤后直接由过滤通道进入次级过滤件过滤，避免了经初级过滤件过滤的气体在进入次级过滤件之前被污染，大大减小了进入所述大气传送腔的污染源，从而避免在被刻蚀物表面形成凝结性污染物，提高被刻蚀物的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910816322.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全自动双针旋转机头缝纫机电控系统
- 下一篇：图像处理方法及相关装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
