[发明专利]抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器有效
| 申请号： | 201910816480.1 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110571331B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;冯金龙;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器，包括柔性衬底层以及依次沉积在柔性衬底层上的第一绝缘层、下电极层和第二绝缘层，第二绝缘层的内部开设有通孔且通孔与下电极层相接触；在通孔的侧壁上形成有环状碳纳米管层；超晶格薄膜形成于环状碳纳米管层的内部且与环状碳纳米管层之间通过第三绝缘材料层隔离；超晶格薄膜包括交替生长的具有范德华间隙的第一、第二相变层；上电极形成于第四绝缘层的表面并通过第四绝缘层的通孔与超晶格薄膜接触；本发明在具有范德华间隙的超晶格薄膜材料外围包裹碳纳米管，可以防止超晶格薄膜在应力弛豫的过程中发生断裂，极大地提高了相变存储器件抗应力的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 晶格 相变 存储 单元 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种抗应力的超晶格相变存储单元，其特征在于，包括：/n柔性衬底层，以及依次沉积在所述柔性衬底层上的第一绝缘层、下电极层和第二绝缘层，所述第二绝缘层的内部开设有通孔且所述通孔贯穿第二绝缘层并与所述下电极层相接触；在该通孔的侧壁上形成有环状碳纳米管层；/n超晶格薄膜，所述超晶格薄膜形成于所述环状碳纳米管层的内部且与该环状碳纳米管层之间通过第三绝缘层隔离；该超晶格薄膜包括交替生长的具有范德华间隙的第一相变层和第二相变层；/n上电极，所述上电极形成于第四绝缘层的表面，该上电极通过第四绝缘层上的通孔与超晶格薄膜相接触，且与环状碳纳米管层之间通过第四绝缘层隔离。/n
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