[发明专利]二级标片的制备方法在审
申请号: | 201910816500.5 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN112447878A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 朱兰兰 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 224000 江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种二级标片的制备方法,包括:挑选电池片,挑选电性能参数能够代表批量电池片产品的特性、电池片工艺各项制程inline管控参数均与中心值相差不大于第一阈值、外观A级、EL图像A级、光谱响应测试中各波段拟合曲线无异常的若干电池片;预衰减处理,对挑选的电池片进行光致衰减,形成待标定电池片;确定制作机台;制作二级标片,包括:采用一级标片校准制作机台;采用校准后的制作机台对若干待标定电池片进行测试,每一待标定电池片测试至少3次以上;数据值标定:去除异常数据的电池片;剩余的待标定电池片,选取效率测试中值进行标定,电性能参数按照测试值标定;获得的二级标片,降低了不同测试机台的测试差异性。 | ||
搜索关键词: | 二级 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的