[发明专利]半导体形成装置有效
| 申请号： | 201910816858.8 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875178B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 黄威瀚;谭伦光 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/266;H01L21/324;H01L21/67;H01J37/30;H01J37/317 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体形成装置及半导体装置的形成方法。此处所述的系统与方法用于可变且动态控制可变开口遮罩单元，以定义、隔离、及/或遮罩掺质布植及/或热退火工艺的扩散区域，其可用于生产进阶半导体装置的晶圆制作中。可动态放置多个隔离材料平板，以定义多个隔离材料平板的边缘之间的可变遮罩开口的尺寸、位置、与形状。隔离材料平板可连接于联合的一对载具之间。载具耦接至可变装置遮罩单元的两侧上的一组平行轨道，并可沿着平行的轨道移动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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