[发明专利]一种电容式压力传感器及其制作方法有效
申请号: | 201910817636.8 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110510572B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 杨翠;史芝纲;毛维 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00;G01L1/14;G01L9/12 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种电容式压力传感器及其制作方法,主要解决现有压力传感器线性范围小的问题,其自下而上包括单晶硅衬底(1)、绝缘层(2)、隔离层(3)和多晶硅薄膜(4),该绝缘层(2)是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成,N≥2,每层圆形台阶的厚度相同,半径不同,该多晶硅薄膜(4)上刻蚀有用于腐蚀隔离层(3)的通孔(5),隔离层(3)通过腐蚀形成空腔(6),多晶硅薄膜(4)和单晶硅衬底(1)上淀积有金属电极(8),所述隔离层、通孔和多晶硅薄膜上除金属电极(8)区域外的其他表面覆盖有钝化层(7)。本发明线性范围大、工艺简单、成品率高,可用于汽车系统和工业领域中对大范围压力的测量。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种电容式压力传感器,该结构自下而上包括单晶硅衬底(1)、绝缘层(2)、隔离层(3)和多晶硅薄膜(4),该多晶硅薄膜(4)上刻蚀有用于腐蚀隔离层(3)的通孔(5),隔离层(3)中间设有空腔(6),且多晶硅薄膜(4)和单晶硅衬底(1)上淀积有金属电极(8),所述隔离层(3)、通孔(5)和多晶硅薄膜(4)上除金属电极(8)区域外的其他表面覆盖有钝化层(7),其特征在于:/n绝缘层(2)是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成,其总厚度T为250nm~800nm,每层圆形台阶的厚度都为t=T/N,N为整数,N≥2,每层圆形台阶的半径ri通过求解如下等式确定:/n15T/R6×(R-ri)5×ri=(i-1)T/N,/n其中,i为整数,且1≤i≤N,R是空腔(6)的半径。/n
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