[发明专利]一种电容式压力传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910817636.8 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110510572B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 杨翠;史芝纲;毛维 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00;G01L1/14;G01L9/12
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种电容式压力传感器及其制作方法,主要解决现有压力传感器线性范围小的问题,其自下而上包括单晶硅衬底(1)、绝缘层(2)、隔离层(3)和多晶硅薄膜(4),该绝缘层(2)是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成,N≥2,每层圆形台阶的厚度相同,半径不同,该多晶硅薄膜(4)上刻蚀有用于腐蚀隔离层(3)的通孔(5),隔离层(3)通过腐蚀形成空腔(6),多晶硅薄膜(4)和单晶硅衬底(1)上淀积有金属电极(8),所述隔离层、通孔和多晶硅薄膜上除金属电极(8)区域外的其他表面覆盖有钝化层(7)。本发明线性范围大、工艺简单、成品率高,可用于汽车系统和工业领域中对大范围压力的测量。
搜索关键词: 一种 电容 压力传感器 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种电容式压力传感器,该结构自下而上包括单晶硅衬底(1)、绝缘层(2)、隔离层(3)和多晶硅薄膜(4),该多晶硅薄膜(4)上刻蚀有用于腐蚀隔离层(3)的通孔(5),隔离层(3)中间设有空腔(6),且多晶硅薄膜(4)和单晶硅衬底(1)上淀积有金属电极(8),所述隔离层(3)、通孔(5)和多晶硅薄膜(4)上除金属电极(8)区域外的其他表面覆盖有钝化层(7),其特征在于:/n绝缘层(2)是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成,其总厚度T为250nm~800nm,每层圆形台阶的厚度都为t=T/N,N为整数,N≥2,每层圆形台阶的半径ri通过求解如下等式确定:/n15T/R6×(R-ri)5×ri=(i-1)T/N,/n其中,i为整数,且1≤i≤N,R是空腔(6)的半径。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910817636.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top