[发明专利]一种原位氢氧化镁纳米片层修饰的镁合金及其制备和应用有效
申请号: | 201910818027.4 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110592571B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 王国敏;王怀雨;朱剑豪 | 申请(专利权)人: | 深圳市中科摩方科技有限公司 |
主分类号: | C23C22/60 | 分类号: | C23C22/60;A61L31/02;A61L31/08;A61L31/16 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 薛建强 |
地址: | 518112 广东省深圳市龙岗区吉华街道甘李*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种镁合金材料,其为原位氢氧化镁纳米片层修饰的镁合金。所述材料由镁合金在碱性条件下通过水热反应制备得到。该原位形成的氢氧化镁纳米片层结构的保护作用使得镁合金的抗腐蚀性显著增强,同时由于可以显著降低镁离子释放速率,生物相容性也会显著改善。此外,该二维纳米层结构具有依赖于接触的非释放性的物理抗菌性能。因此,根据本发明的该镁合金材料在医用植入体领域具有极高的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 原位 氢氧化镁 纳米 修饰 镁合金 及其 制备 应用 | ||
【主权项】:
1.一种镁合金材料,其特征在于:包括镁合金本体和位于表面的氢氧化镁纳米片层;所述氢氧化镁纳米片层中的氢氧化镁纳米片的面积在1nm
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C22-00 表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理,例如转化层、金属的钝化
C23C22-02 .使用非水溶液的
C23C22-05 .使用水溶液的
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