[发明专利]一种三维超晶格相变存储阵列及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910818229.9 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110571235A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;冯金龙;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维超晶格相变存储阵列及其制备方法与应用，涉及集成电路技术领域；该三维超晶格相变存储阵列包括下电极单元、超晶格结构和上电极；所述下电极单元沉积于衬底之上，由下电极层和绝缘层交替堆叠形成；该下电极单元内部具有一个沿垂直于堆叠方向上开设的深孔，且所述深孔的底面延伸至衬底；所述超晶格结构形成于所述深孔的侧壁上，由第一相变层和第二相变层在深孔侧壁上交替沉积而成；所述上电极填充在超晶格结构形成的腔体中，且该上电极与超晶格结构的最内层的相变层表面接触；本发明极大地提高了超晶格相变存储器的存储密度，降低生产成本，有利于在工业生产的层面上推动超晶格相变存储材料在相变存储器中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 超晶格结构 深孔 下电极单元 电极 相变存储阵列 三维超晶格 相变存储器 超晶格 侧壁 衬底 绝缘层 集成电路技术 相变存储材料 堆叠方向 交替沉积 交替堆叠 下电极层 最内层 底面 腔体 沉积 制备 填充 应用 垂直 存储 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种三维超晶格相变存储阵列，其特征在于，包括下电极单元、超晶格结构和上电极；/n所述下电极单元沉积于衬底之上，由下电极层和绝缘层交替堆叠形成；该下电极单元内部具有一个沿垂直于堆叠方向上开设的深孔且所述深孔的底面延伸至衬底；/n所述超晶格结构形成于所述深孔的侧壁上，由第一相变层和第二相变层在所述侧壁上交替沉积而成；/n所述上电极填充在超晶格结构形成的腔体中，且该上电极与超晶格结构的最内层的相变层表面接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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