[发明专利]二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法在审
| 申请号： | 201910818242.4 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556476A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;冯金龙;吴文豪;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，属于微电子器件及存储器技术领域；该超晶格相变薄膜包括相变材料层和导电二维材料层；所述相变材料层、导电二维材料层交替堆叠形成周期性结构，该导电二维材料层的原子间距小于相变材料层且其机械强度大于相变材料层；具有较小原子间距的导电二维材料可以阻止相变材料层的原子迁移，减少超晶格相变存储材料在循环擦写过程中由原子迁移造成的器件失效，增强其循环擦写的稳定性；将该超晶格相变薄膜应用于相变存储器中，可以显著增强超晶格相变存储器件的循环擦写稳定性，增加其使用寿命，进一步提升相变存储器的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料层 二维材料 超晶格 导电 相变存储器 相变薄膜 擦写 原子迁移 存储器技术领域 相变存储材料 相变存储器件 微电子器件 周期性结构 电学性能 交替堆叠 器件失效 使用寿命 小原子 制备 改良 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料改良的超晶格相变薄膜，其特征在于，包括相变材料层和导电二维材料层；/n所述相变材料层、导电二维材料层交替堆叠形成周期性结构，该导电二维材料层的原子间距小于相变材料层的原子间距以阻止相变材料层的原子迁移，且其机械强度大于相变材料层。/n
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