[发明专利]在制备密集型微阵列结构过程中简便去除SU-8光刻胶的方法

摘要

一种在制备密集型微阵列结构过程中简便去除SU‑8光刻胶的方法，属于微制造技术领域，在金属铜基底上，经过匀胶、曝光及显影等工艺制作BN308光刻胶胶模作为隔离层。再通过设计掩模版图形，经过匀胶、曝光及显影等工艺制作存在间隙的SU‑8光刻胶胶模，随后进行微电铸和平坦化处理，最后利用溶胀原理去除SU‑8光刻胶得到制作的金属微阵列结构。本发明制作的微阵列结构的间距尺寸可大于25μm小于200μm，结构高度小于100μm。通过预置SU‑8光刻胶胶膜间隙，在不损坏电铸结构的前提下有效地去除了光刻胶，简化了制作工艺，降低了制作难度；另外，本发明具有去胶方便彻底、工艺简单、微结构形貌完好等优点。

主权项

1.一种在制备密集型微阵列结构过程中简便去除SU-8光刻胶的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)设计掩膜板/n分别设计BN308光刻胶掩膜板和SU-8光刻胶掩膜板；BN308光刻胶掩膜板设计图形与需要制作的微阵列结构图形保持一致；SU-8光刻胶掩膜板设计图形包括微阵列结构图形和溶胀间隙图形两部分；/n2)基板预处理/n采用研磨抛光机对金属铜基底进行研磨抛光处理，去除表面缺陷并获得镜面效果，对基板进行超声清洗，超声清洗后使用去离子水冲洗干净并吹干，备用；/n3)制作BN308光刻胶胶膜/n使用台式匀胶机在基板上涂覆BN308光刻胶，然后通过前烘、曝光、显影工艺制作出带有微阵列结构图形的BN308光刻胶胶膜，显影完成后进行后烘坚膜工艺，对所得的BN308光刻胶胶膜进行烘烤坚膜；/n4)制作SU-8光刻胶胶膜/n在图形化的BN308光刻胶胶膜上进行SU-8光刻胶胶膜制作工艺；通过甩胶、前烘、曝光、后烘、显影工艺，得到带有微阵列结构和溶胀间隙图形的SU-8光刻胶胶膜；/n5)微电铸铜/n将制作好的胶膜放入电铸液中进行微阵列结构的电铸，电铸温度为20～30℃，电铸液pH值为0.8～1.0，电流密度为1A/dm²，电铸时间为4h；所述电铸液中包括CuSO₄·5H₂O、NaCl、浓H₂SO₄，各物质浓度为：CuSO₄·5H₂O浓度为220g/L，NaCl浓度为60mg/L，浓H₂SO₄浓度为50g/L；/n6)平坦化处理/n去除铸层表面的缺陷获得平整表面，并将铸层高度研磨至50μm～55μm，用去离子水清洗研磨后的铸层；/n7)去除BN308光刻胶隔离层/n将待去胶的金属微阵列结构放入水浴加热的负胶去膜剂溶液中，水浴85℃加热10min～20min，直至BN308光刻胶隔离层完全溶解，将其拿出并依次用丙酮、乙醇溶液漂洗干净；/n8)去除SU-8光刻胶/n将留有SU-8光刻胶的金属微阵列结构放入水浴加热的去胶溶剂中，水浴85℃加热30min，使SU-8光刻胶发生溶胀脱落，最后将其拿出依次用丙酮、乙醇、去离子水漂洗干净，得到制作完成的金属微阵列结构。/n