[发明专利]电荷平衡的槽型器件终端结构在审
| 申请号： | 201910819875.7 | 申请日： | 2019-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110429130A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 章文通;何俊卿;王睿;杨昆;乔明;王卓;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电荷平衡的槽型器件终端结构，包括有源区末端结构和终端区结构；有源区末端结构包括：第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一导电类型源极接触区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端接触区，源极金属接触，第一介质氧化层，控制栅多晶硅电极；所述终端区结构包括：第二介质氧化层、第三介质氧化层、第一终端多晶硅电极、第二终端多晶硅电极；有源区深槽末端为弧形，且/或者所述第一道终端深槽靠近有源区一侧与有源区深槽末端正对处为弧形，本发明缓解有源区深槽末端和第一道终端深槽之间的曲率效应，优化电荷平衡，克服了传统结构在该处由于三维耗尽效应而导致的提前击穿问题，提高器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 深槽 第一导电类型 电荷平衡 氧化层 终端 多晶硅电极 末端结构 终端结构 终端区 槽型 控制栅多晶硅 源极金属接触 导电类型阱 源极接触区 传统结构 导电类型 耗尽效应 曲率效应 接触区 漂移区 电极 衬底 击穿 耐压 源端 正对 三维 缓解 优化 | ||
【主权项】：
1.一种电荷平衡的槽型器件终端结构，其特征在于：包括有源区末端结构和终端区结构；所述有源区末端结构包括：第一导电类型衬底(152)，第一导电类型漂移区(111)，第一导电类型源极接触区(151)，第二导电类型阱区(122)，第二导电类型源端接触区(121)，源极金属接触(130)，第一介质氧化层(141)，控制栅多晶硅电极(131)；第一导电类型漂移区(111)位于第一导电类型衬底(152)上方，第二导电类型阱区(122)位于第一导电类型漂移区(111)上方，第一导电类型源极接触区(151)位于第二导电类型阱区(122)上方，源极金属接触(130)将第二导电类型源端接触区(121)和第一导电类型源极接触区(151)短接；由第一介质氧化层(141)和控制栅多晶硅电极(131)组成的有源区深槽位于第一导电类型衬底(152)和第一导电类型漂移区(111)的两侧，其中第一介质氧化层(141)包围着控制栅多晶硅电极(131)；所述终端区结构包括：第二介质氧化层(142)、第三介质氧化层(143)、第一终端多晶硅电极(132)、第二终端多晶硅电极(133)；其中第二介质氧化层(142)和第一终端多晶硅电极(132)构成第一道终端深槽，第二介质氧化层(142)包围着第一终端多晶硅电极(132)；第三介质氧化层(143)和第二终端多晶硅电极(133)构成第二道终端深槽，第三介质氧化层(143)包围着第二终端多晶硅电极(133)；所述有源区深槽末端为弧形，且/或者所述第一道终端深槽靠近有源区一侧与有源区深槽末端正对处为弧形。
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