[发明专利]具有纵向浮空场板的器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910819933.6 | 申请日： | 2019-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110459602A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 章文通;何俊卿;杨昆;王睿;张森;乔明;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 敖欢<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 611731四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有纵向浮空场板的器件及制造方法，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，且第一介质氧化层包围浮空场板多晶硅电极，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；本发明在器件关态引入全域MIS耗尽机制，浮空纵向场板在N型半导体材料中积累电子，在P型半导体材料中积累空穴；当纵向浮空场板插入衬底时，场板能同时对第一导电类型半导体衬底和第二导电类型漂移区进行耗尽，使得器件漂移区与衬底的电荷平衡部分独立，并通过金属条形成体内等势环以调制电场，提高器件耐压，同时，在器件开态时，浮空场板表面能够形成积累层，降低比导通电阻，并提高饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场板 浮空 漂移区 衬底 多晶硅电极 导电类型 氧化层 耗尽 第一导电类型 空穴 比导通电阻 电场 饱和电流 电荷平衡 积累层 金属条 纵向场 等势 关态 开态 耐压 全域 调制 积累 半导体 体内 包围 引入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有纵向浮空场板的器件，其特征在于包括：/n第一导电类型半导体衬底(11)、第一导电类型阱区(12)、第一导电类型半导体接触区(13)，第二导电类型漂移区(21)、第二导电类型阱区(22)、第二导电类型半导体接触区(23)，第一介质氧化层(31)、第二介质氧化层(32)、第三介质氧化层(33)，浮空场板多晶硅电极(41)、控制栅多晶硅电极(42)，金属条(51)；/n其中，第二导电类型漂移区(21)位于第一导电类型半导体衬底(11)上方，第一导电类型阱区(12)位于第二导电类型漂移区(21)的左侧，第二导电类型阱区(22)位于第二导电类型漂移区(21)的右侧，第一导电类型半导体接触区(13)和第二导电类型半导体接触区(23)位于第一导电类型阱区(12)中，且均采用重掺杂以降低电阻；第二介质氧化层(32)和第三介质氧化层(33)位于器件表面，控制栅多晶硅电极(42)左边界位于第二导电类型半导体接触区(23)的右边界左侧，控制栅多晶硅电极(42)右边界位于第二导电类型漂移区(21)的左边界右侧；/n第一介质氧化层(31)和浮空场板多晶硅电极(41)构成纵向浮空场板，且第一介质氧化层(31)包围浮空场板多晶硅电极(41)，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区(21)中，形成纵向浮空场板阵列。/n
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