[发明专利]二硫化钼基气敏传感阵列的构建方法及其在SF6 有效
申请号: | 201910819936.X | 申请日: | 2019-08-31 |
公开(公告)号: | CN110530935B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 张冬至;王微微;王兴伟;吴君峰;薛庆忠;康忠健 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 于鹏 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区长江*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
本发明涉及二硫化钼基气敏传感阵列的构建方法及其在SF |
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搜索关键词: | 二硫化钼 基气敏 传感 阵列 构建 方法 及其 sf base sub | ||
【主权项】:
1.二硫化钼基气敏传感阵列的构建方法,其特征在于,该传感阵列采用二硫化钼基气敏传感器进行构筑,二硫化钼基气敏传感器的制备工艺包括:/n①以环氧树脂基底为衬底,在基底表面制备有金属叉指铜镍合金电极的气敏元件;/n②以水热法合成纳米二硫化钼材料:以二水合钼酸钠与硫代乙酰胺为钼源和硫源,以醇水混合液为溶剂,金属无机盐为选择性添加掺杂金属离子源,200℃水热反应,700℃煅烧即得;/n③以丝网印刷法制备镍-二硫化钼、铁-二硫化钼、钴-二硫化钼或花状二硫化钼的薄膜传感器;或以层层自组装工艺制备检测SF6气体分解组分的复合薄膜传感器。/n
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