[发明专利]二硫化钼基气敏传感阵列的构建方法及其在SF6有效

专利信息
申请号: 201910819936.X 申请日: 2019-08-31
公开(公告)号: CN110530935B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 张冬至;王微微;王兴伟;吴君峰;薛庆忠;康忠健 申请(专利权)人: 中国石油大学(华东)
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 于鹏
地址: 266000 山东省青岛市黄岛区长江*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及二硫化钼基气敏传感阵列的构建方法及其在SF6气体分解组分检测中的应用。通过构筑二硫化钼基纳米复合气敏传感阵列构建SF6气体分解组分检测系统,筛选氧化铜‑二硫化钼、镍‑二硫化钼和钴‑氧化铟‑二硫化钼及铁‑二氧化钛‑二硫化钼四种传感器件作为气敏传感阵列的传感阵列元件,实现对SF6气体分解产物的组分识别及浓度测定,对预防及诊断设备内部故障、维护设备正常工作与现场安全生产有着重要的现实意义与长远的社会经济效益。
搜索关键词: 二硫化钼 基气敏 传感 阵列 构建 方法 及其 sf base sub
【主权项】:
1.二硫化钼基气敏传感阵列的构建方法,其特征在于,该传感阵列采用二硫化钼基气敏传感器进行构筑,二硫化钼基气敏传感器的制备工艺包括:/n①以环氧树脂基底为衬底,在基底表面制备有金属叉指铜镍合金电极的气敏元件;/n②以水热法合成纳米二硫化钼材料:以二水合钼酸钠与硫代乙酰胺为钼源和硫源,以醇水混合液为溶剂,金属无机盐为选择性添加掺杂金属离子源,200℃水热反应,700℃煅烧即得;/n③以丝网印刷法制备镍-二硫化钼、铁-二硫化钼、钴-二硫化钼或花状二硫化钼的薄膜传感器;或以层层自组装工艺制备检测SF6气体分解组分的复合薄膜传感器。/n
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