[发明专利]一种基于SOI材料的双模超表面及其双模显示应用在审
| 申请号： | 201910820753.X | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110568528A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 戴琦;郑国兴;李子乐;李仲阳;邓娟;付娆;邓联贵;李嘉鑫 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B5/30 |
| 代理公司： | 42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李炜 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI材料的双模超表面，通过设计该超表面纳米砖结构的几何参数，可实现一种结构对应不同波长分别表现为起偏器、半波片的功能。该超表面由硅纳米砖阵列、熔融石英介质层、硅基底层构成，基于该功能，通过结合起偏器、半波片对光波的强度和相位的调制作用，可设计针对起偏器的近场连续灰度图像显示及半波片的远场二台阶傅里叶全息成像，两种成像方式互不影响，可应用于偏振显示、加密、防伪等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 半波片 起偏器 熔融石英介质 表面纳米 成像方式 硅基底层 几何参数 连续灰度 全息成像 图像显示 光波 傅里叶 硅纳米 砖结构 波长 防伪 近场 偏振 双模 远场 调制 加密 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI材料的双模超表面，其特征在于：/n由多个单元结构周期性阵列于一平面上构成；/n所述单元结构包括三层结构，由下至上依次为基底、介质层和顶层；/n其中，/n基底为具有正方形顶面的方块；/n介质层为具有正方形顶面的方块；/n顶层为纳米砖；/n基底和介质层的顶面边长相同；/n以介质层顶面的直角边为x轴和y轴，顶点为原点，建立xoy直接坐标系，纳米砖的长轴与x轴的夹角为旋转角
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