[发明专利]太阳能电池结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910821903.9 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112447867A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 田伟辰;洪政源;叶昌鑫;吴以德 | 申请（专利权）人： | 财团法人金属工业研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0368;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池结构及其制作方法，太阳能电池结构包含半导体基板、钝化层、穿隧层和掺杂结晶硅层。半导体基板具有相对的第一侧和第二侧。钝化层位于半导体基板的第一侧。穿隧层位于半导体基板的第二侧。掺杂结晶硅层位于穿隧层的远离该半导体基板的侧边，其包含多晶硅晶体，且其结晶度约为50％～90％。本发明的太阳能电池结构具有较高的暗喻开路电压和载子生命周期，使得整体效能因而提升。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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