[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910822035.6 申请日: 2019-09-02
公开(公告)号: CN112086444A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 余振华;吴俊毅;夏兴国 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 在一实施例中,一种半导体装置包含:第一集成电路管芯和第二集成电路管芯;以及混合重布线结构,包含:第一光子管芯;第二光子管芯;第一介电层,侧向包围第一光子管芯和第二光子管芯,第一集成电路管芯和第二集成电路管芯邻近第一介电层的第一侧设置;多个导电构件,穿过第一介电层且沿第一介电层的主表面延伸,多个导电构件将第一光子管芯电性耦合到第一集成电路管芯,多个导电构件将第二光子管芯电性耦合到第二集成电路管芯;第二介电层,邻近第一介电层的第二侧设置;以及波导,设置在第一介电层与第二介电层之间,波导光学地耦合第一光子管芯与第二光子管芯。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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