[发明专利]一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201910822392.2 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110444645A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 汤英文 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 赵桂芳 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明属于发光二极管技术领域，公开了一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片，设置有P面；P面先生长一层SiO2或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；在SiO2或ITO上形成 |
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| 搜索关键词： | 反射电极 黄光发光二极管 全反射镜 芯片 高反射 发光二极管技术 发光二极管芯片 欧姆接触电极 导电基板 光刻腐蚀 芯片制造 上端 反射率 粘结层 黄光 键合 | ||
【主权项】：
1.一种具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述的具有高反射P电极的红黄光发光二极管芯片设置有：P面；P面先生长一层SiO2或者ITO，P面通过光刻腐蚀出SiO2或ITO的孔，孔里形成P面欧姆接触电极；在SiO2或ITO5上形成![]()
微米的反射电极，反射电极通过![]()
与SiO2连接，反射电极与SiO2或ITO一起组成芯片的全反射镜；全反射镜与导电基板键合在一起，发光二极管芯片的N层上设置有N电极。
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