[发明专利]一种单芯片LED光电耦合器、其集成电路及制作方法

摘要

本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路的集成度，适用于光电耦合器的集成技术领域。

主权项

1.一种单芯片LED光电耦合器，其特征在于：包括制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源；/n所述第一衬底中注入有第一深P阱以及与第一深P阱相连的第一高深宽比P阱和第二高深宽比P阱，第一深P阱、第一高深宽比P阱和第二高深宽比P阱相连形成第一岛，第一岛的上部嵌有第一薄n⁺阱；/n硅光探测器正极从第一薄n⁺阱引出、硅光探测器负极从第一高深宽比P阱引出；/n所述第一衬底是n^－型硅衬底。/n