[发明专利]反偏型硅发光SOI光电隔离器、其集成电路及制作方法

摘要

本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。

主权项

1.一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，其特征在于：包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO₂中间层的第一介质层和顶层硅，所述第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；/n所述反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源；/n所述第一衬底是n^-掺杂/p^-掺杂的硅衬底，第一衬底中注入有第一深p阱以及与第一深p阱相连形成第一岛的第一高深宽比p⁺阱和第二高深宽比p⁺阱，第一岛的上部嵌有第一薄n⁺阱；/n从第一高深宽比p⁺阱引出硅光探测器阴极、从第一薄n⁺阱引出硅光探测器阳极。/n