[发明专利]多晶硅SOI基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。

主权项

1.一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，其特征在于：包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO₂中间层的第一介质层和顶层多晶硅，所述顶层多晶硅通过低压化学气相沉积法淀积在第一衬底上；/n所述多晶硅SOI基板型光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源；/n所述第一衬底是n^-掺杂/p^-掺杂的硅衬底，第一衬底中注入有第一深p阱以及与第一深p阱相连形成第一岛的第一高深宽比p⁺阱和第二高深宽比p⁺阱，第一岛的上部嵌有第一薄n⁺阱；/n硅光探测器阴极从第一高深宽比p⁺阱引出、硅光探测器阳极从第一薄n⁺阱引出。/n