[发明专利]构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法有效
| 申请号： | 201910824882.6 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110571326B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李润伟;谢卓琳;高双;叶晓羽;公国栋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供一种构建磁性原子点接触的方法，采用具有电致电阻转变功能的结构器件，选用导电材料作为电极，选用通过电场作用能够在其中形成磁性纳米导电通道的半导体或绝缘体材料作为介质层，首先在底电极与顶电极之间施加电压，驱动离子氧化还原，形成磁性导电通道；然后，施加反向电压，通过改变电压大小，使导电通道的电导G达到NG |
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| 搜索关键词： | 构建 磁性 原子 点接触 方法 器件 磁电 调控 | ||
【主权项】：
1.一种构建磁性原子点接触的方法，采用具有“底电极/介质层/顶电极”的三明治结构器件，电极为导体材料；其特征是：介质层选用通过电场作用，在其中能够形成磁性纳米导电丝的半导体或绝缘体材料；首先，在底电极与顶电极之间施加电压，驱动离子氧化还原，形成磁性导电通道；然后，施加反向电压，通过改变电压大小，使导电通道的电导G达到NG
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