[发明专利]一种终端结构制造方法在审
| 申请号： | 201910824911.9 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112447821A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 史波;曾丹;肖婷;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 李雪 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种终端结构制造方法，包括在半导体衬底表面设置场氧化层，所述场氧化层厚度范围为1微米至2微米；在所述场氧化层表面沉积氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜厚度范围为10纳米至50纳米；采用湿法刻蚀工艺对所述场氧化层及氧化硅薄膜进行刻蚀，根据所述场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使所述场氧化层形成斜面台阶结构；在所述斜面结构进行离子注入掺杂、热扩散激活及PN结推进，本方案通过在场氧化层表面设置氧化硅薄膜，根据场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使场氧化层形成斜面台阶结构，有利于终端扩散结的边缘渐变，有利于调节PN结表面的电场，提高PN结的耐压和击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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