[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910825434.8 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447844A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底中形成栅极沟槽；步骤二、形成栅介质层；步骤三、形成栅导电材料层；步骤四、对栅导电材料层进行回刻在栅极沟槽区域顶部形成第一自对准回刻沟槽；步骤五、形成沟道区；步骤六、形成源区；步骤七、在第一自对准回刻沟槽中填充第一介质层；步骤八、以所述第一介质层为自对准条件对半导体平台区的半导体材料进行回刻形成第二自对准回刻沟槽；步骤九、在第二自对准回刻沟槽的内侧面形成自对准定义出源接触孔的侧墙；步骤十、形成层间膜，接触孔和正面金属层并图形化形成栅极和源极。本发明能自对准定义出源区顶部的接触孔，从而能缩小器件的步进并从而减少器件的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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