[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201910826414.2 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447855A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 韩德栋;李慧津;董俊辰;王漪;周孝斌;衣壮;周大中 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/335;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，属于集成电路制造和显示领域。本发明的核心是整个薄膜晶体管全部采用原子层淀积技术制备，工艺温度低、成膜质量高、薄膜厚度控制精确。薄膜晶体管的绝缘层和有源层，采用相同的工艺手段、相同的淀积温度，可以连续生长，有利于减少沟道和绝缘体的界面陷阱和界面微变形，提高界面质量，改善器件的亚阈值摆幅。且有源层和绝缘层共用相同的光刻掩膜版图形化，因此减少了一次光刻，节约了工艺制造成本。本发明有望在未来的TFT集成电路和新型显示中得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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