[发明专利]一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷及共混再裂解制备方法

摘要

一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷及共混再裂解制备方法，涉及陶瓷材料制备。所述块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷命名为3D‑SiC(rGO)陶瓷，由β‑SiC、SiOxCy、SiO2、rGO和游离碳组成，其中β‑SiC纳米晶弥散分布于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中，SiO2晶粒镶嵌于β‑SiC/SiOxCy/Cfree基体中。该陶瓷以自制改性聚合物先驱体聚碳硅烷‑乙烯基三乙氧基硅烷‑氧化石墨烯为原料，与该先驱体裂解后获得的SiC(rGO)p粉末按比例混合、球磨、再裂解制得。具有较高陶瓷产率和较低线性收缩率，硬度和断裂韧性表现好，微观结构均匀致密，较少孔隙、微裂纹和界面，实用性和可靠性强。

主权项

1.一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷，其特征在于为3D-SiC(rGO)陶瓷，由β-SiC、SiO_xC_y、SiO₂、rGO和游离碳组成，其中β-SiC纳米晶弥散分布于复合rGO的SiO_xC_y/C_free无定形相中，SiO₂晶粒镶嵌于β-SiC/SiO_xC_y/C_free基体中。/n