[发明专利]磁阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201910827096.1 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447788B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王慧琳;王裕平;翁宸毅;谢晋阳;蔡锡翰;张哲维;张境尹 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其中半导体元件主要包含一基底包含一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域；一第一MTJ设于该MTJ区域上；一第一金属内连线设于该逻辑区域上；以及一遮盖层由该第一MTJ一侧壁延伸至该第一金属内连线的一侧壁，其中设于该MTJ区域的该遮盖层以及设于该逻辑区域的该遮盖层包含不同厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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