[发明专利]基片状态判断装置及方法、基片处理装置和模型生成装置在审
| 申请号： | 201910827312.2 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110880462A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 明石直;芳贺雄太;佐藤弘幸;冈田基;佐野圭;佐藤淳哉;北贵之;铃木淳司;月野极;筒井拓郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;G06N20/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基片状态判断装置及方法、基片处理装置和模型生成装置。本发明的一个方式的基片状态判断装置包括：拍摄载置于载置台的基片的拍摄部；学习部，其使用在上述基片的图像添加了表示基片的状态的信息而得的训练数据进行机械学习，来生成基片状态判断模型，上述基片状态判断模型以上述基片的图像为输入、以关于与该基片的图像对应的基片的状态的值为输出；和判断部，其使用由上述学习部生成的上述基片状态判断模型，判断与由上述拍摄部拍摄的上述基片的图像对应的上述基片的状态。本发明能够以高精度检测在半导体制造装置中载置于载置台的基片的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 状态 判断 装置 方法 处理 模型 生成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
