[发明专利]LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201910827366.9 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110534623A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;蔡和勋;李耿诚;李俊贤;刘英策 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张静<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的外延结构中具有贯穿P型氮化镓层和有源层的凹槽，该凹槽曝露N型氮化镓层部分表面，将外延结构分成位于凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构，第一P型电极位于透明导电层背离第一外延结构一侧表面，第一N型电极位于第二外延结构背离衬底一侧表面，从而使得本申请实施例提供的LED芯片中，与外界结构相连的第一P型电极所在的第一外延结构和用于与外界结构相连的第一N型电极所在的第二外延结构等高，进而在焊接第一P型电极和第一N型电极时，可以避免第一P型电极和第一N型电极的高度差过大导致的LED芯片在封装打线过程中存在虚焊或焊接压力过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 外界结构 背离 透明导电层 凹槽两侧 焊接压力 高度差 衬底 打线 等高 曝露 虚焊 源层 封装 焊接 申请 贯穿 制作 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底一侧表面的外延结构，所述外延结构包括：层叠的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓以及贯穿所述P型氮化镓层和有源层的凹槽，所述凹槽曝露所述N型氮化镓层部分表面，将所述外延结构分成位于所述凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构；/n位于所述第一外延结构背离所述衬底一侧，覆盖所述第一外延结构背离所述衬底一侧表面，且与所述第一外延结构电连接的透明导电层；/n位于所述透明导电层背离所述第一外延结构一侧表面的第一P型电极和第二P型电极，所述第二P型电极与所述第一P型电极电连接；/n位于所述第二外延结构背离所述衬底一侧表面的第一N型电极；/n位于所述凹槽内裸露N型氮化镓层的表面及所述第二外延结构朝向所述凹槽的侧面，与所述N型氮化镓层电连接的第二N型电极，所述第二N型电极与所述第一N型电极电连接，所述第二N型电极与所述第一外延结构不接触。/n
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