[发明专利]一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片有效
| 申请号： | 201910828391.9 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110517956B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王坚红;徐明成;陈锋;黄国军;王锋 | 申请（专利权）人： | 常山弘远电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/268;H01L21/329;H01L29/861;B23K26/082;B23K26/0622;B23K26/364;B23K26/70;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 324200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片，要解决的是现有二极管芯片中存在的问题。本发明具体步骤如下：步骤一，将基片的待开槽面及背面涂覆光刻胶，得到具有多个单元的连续闭环形状的待开槽面；步骤二，在基片上采用干法开槽法在待开槽面开凿沟槽，得到具有初始沟槽的半成品；步骤三，在半成品的初始沟槽处采用湿法开槽法再进行开凿沟槽，形成具有最终沟槽的半成品；步骤四，去除半成品表面的光刻胶；步骤五，再对半成品进行清洗和烘干，即得到成品。本发明采用干法开槽和湿法开槽相结合的方法，形成沟槽深度深但沟槽宽度窄的造型，保证一定沟槽深度的前提下减小沟槽宽度的问题，从而增大了上电极层接触面积，减少了芯片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 开槽 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管芯片用开槽方法，其特征在于，具体步骤如下：/n步骤一，将扩散形成的基片的待开槽面及背面涂覆光刻胶，进行选择性的保护，得到具有多个单元的连续闭环形状的待开槽面；/n步骤二，在基片上采用干法开槽法在待开槽面开凿沟槽，得到具有初始沟槽的半成品；/n步骤三，在半成品的初始沟槽处采用湿法开槽法再进行开凿沟槽，形成具有最终沟槽的半成品；/n步骤四，去除半成品表面的光刻胶；/n步骤五，再对半成品进行清洗和烘干，即得到成品。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
