[发明专利]衬底上薄膜的制备方法有效
申请号: | 201910828397.6 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110534474B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 欧欣;李忠旭;黄凯;赵晓蒙;李文琴;陈阳;聂峥 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/324;H01L21/18 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 宋缨 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种衬底上薄膜的制备方法,包括如下步骤:提供包括第一表面和第二表面的薄膜转移衬底;对第一表面进行离子注入并形成注入损伤层;提供包括第三表面和第四表面的支撑衬底;将薄膜转移衬底与支撑衬底键合并形成键合衬底;在水浴、油浴或盐浴中对键合衬底退火,同时采用超声或兆声功率对所述键合衬底进行处理,使键合衬底沿注入损伤层剥离,得到位于支撑衬底上的薄膜。本发明通过采用水浴、油浴或盐浴作为退火介质对键合衬底进行退火,并在退火时采用超声或兆声功率对键合衬底进行处理,使键合衬底在低于预期剥离温度的条件下剥离,减少了离子注入的剂量,优化异质材料键合时的热应力分布,降低了生产成本,提高了薄膜质量及成品率。 | ||
搜索关键词: | 衬底 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底上薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n提供薄膜转移衬底,所述薄膜转移衬底包括相对设置的第一表面和第二表面;/n对所述第一表面进行离子注入,并在所述薄膜转移衬底中形成注入损伤层;/n提供支撑衬底,所述支撑衬底包括相对设置的第三表面和第四表面;/n将所述薄膜转移衬底与所述支撑衬底通过所述第一表面和所述第三表面进行键合,并形成键合衬底;/n在水浴、油浴或盐浴中对所述键合衬底进行退火,同时采用超声或兆声功率对所述键合衬底进行处理,使所述键合衬底沿所述注入损伤层剥离,得到位于所述支撑衬底的所述第三表面上的薄膜。/n
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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