[发明专利]一种掺杂方法、单晶装置及单晶炉在审
| 申请号： | 201910828450.2 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110528066A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 锁志云;李强;涂准 | 申请（专利权）人： | 宁夏隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 莎日娜<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 755199 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂方法、单晶装置及单晶炉，所述方法包括：在拉制当前单晶硅棒前，向硅熔料中加入第一预设质量的掺杂剂；在当前单晶硅棒的拉制过程中，检测当前单晶硅棒的生长长度；当所述当前单晶硅棒生长长度满足预设条件时，向硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂。本发明能够使掺杂剂的添加和当前单晶硅棒的拉制同步进行，且在拉制单晶硅的过程中，当当前单晶硅棒的生长长度满足预设条件时，向硅熔料中加入掺杂剂，由于坩埚转动产生的向心力，能够使掺杂剂均匀的分布在硅熔料液表面上，从而保证拉制的当前单晶硅棒各个部分掺杂剂的均匀性，提高了制备的当前单晶硅棒的电阻均匀性，进而提高了当前单晶硅棒的实际产量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅棒 掺杂剂 拉制 熔料 预设条件 预设 生长 电阻均匀性 单晶硅 坩埚转动 单晶炉 均匀性 单晶 制备 向心力 掺杂 检测 保证 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂方法，其特征在于，应用于单晶炉中，所述方法包括：/n在拉制当前单晶硅棒前，向硅熔料中加入第一预设质量的掺杂剂；/n在当前单晶硅棒的拉制过程中，检测当前单晶硅棒的生长长度；/n当所述当前单晶硅棒生长长度满足预设条件时，向硅熔料中加入与第二预设质量成比例的掺杂剂。/n
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