[发明专利]In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910828790.5 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110718627B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 徐明;徐萌;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了In‑Sn‑Sb相变材料、相变存储器及In‑Sn‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述In‑Sn‑Sb相变材料为由In，Sb，Sn元素组成的化学通式为In |
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| 搜索关键词： | in sn sb 相变 材料 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种In-Sn-Sb相变材料，其特征在于，所述In-Sn-Sb相变材料为In，Sb，Sn元素组成的化学通式为In
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