[发明专利]Ga-Sb-O相变材料及其应用与制备方法有效

专利信息
申请号: 201910828813.2 申请日: 2019-09-03
公开(公告)号: CN110729401B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 徐明;徐萌;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 李佑宏
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了Ga‑Sb‑O相变材料及其应用与制备方法,属于相变存储材料领域,所述Ga‑Sb‑O相变材料为由Ga,Sb,O元素组成的化学通式为GaxSb100‑x‑yOy的材料,其通过将Sb作为基体材料,并向基体材料中掺杂Ga、O后得到;其中,x,y分别为原子个数百分比,且10≤x≤40,5≤y≤30。本发明的Ga‑Sb‑O相变材料,其制备方法简便,制备得到的Ga‑Sb‑O相变材料具有良好的热稳定性和低相变密度变化,可作为稳定的相变存储材料应用于相变存储器中,确保了相变存储器的应用稳定性和数据存储的准确性,延长了相变存储器的使用寿命,而且Ga‑Sb‑O相变材料在Set过程和Reset过程中的总功耗极低,并能实现非晶态和晶态的两相共存,极大地降低了相变存储器的使用功耗,提升了相变存储器的使用经济性。
搜索关键词: ga sb 相变 材料 及其 应用 制备 方法
【主权项】:
1.一种Ga-Sb-O相变材料,其特征在于,所述Ga-Sb-O相变材料为Ga,Sb,O元素组成的化学通式为Ga
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