[发明专利]一种在钛合金表面制备强附着力钼层的方法在审
| 申请号： | 201910828982.6 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110512208A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 马捷;程文涛;李洪义;魏建忠;吴龙 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C23C14/16;C23C14/35;C23C16/14;C23C16/02 |
| 代理公司： | 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张立改<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在钛合金表面制备强附着力钼层的方法，属于金属材料表面改性技术领域。在经过预处理的钛上先磁控溅射Cu形成薄膜后化学气相沉积W，在此基础上再上化学气相沉积Mo，形成Cu/W/Mo复合涂层。本发明提供的钛合金表面制备强附着力钼层的技术，旨在通过磁控溅射铜薄膜提高W涂层和钛基体的结合力，增加W层避免钛基体在后续化学气相沉积Mo过程中受高温影响而发生的氢脆和侵蚀，并且能够提高钛和钼的结合力，进而得到既可以保护钛基体不被破坏又能与钛结合力良好的钼复合涂层，改善钛的性能缺陷，大大扩宽了钛的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积 结合力 钛基体 表面制备 磁控溅射 复合涂层 强附着力 钛合金 钼层 预处理 金属材料表面 改性技术 高温影响 性能缺陷 铜薄膜 扩宽 氢脆 薄膜 侵蚀 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在钛合金表面制备强附着力钼层的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)磁控溅射Cu：以Cu为靶材、经过清洁预处理的TA1为基体；先抽真空再加热至375℃后开始启辉预溅射，预溅射30s后在钛基体上溅射铜3h，最后降至室温取出样品；/n(2)化学气相沉积W：试验以WF6和H2为反应气体，H2为保护气体，以步骤(1)磁控溅射铜后的钛为基体，WF6和H2气体流量由针阀及流量计控制；试验开始先通H2进反应室，后等反应室加热至W沉积所需温度，同时把WF6加热后进行气化，然后通入WF6进行化学气相沉积，WF6和H2摩尔比＝1:5；工艺温度为450℃，工艺时间为10min；/n(3)化学气相沉积Mo：试验以MoF6和H2为反应气体，Ar为保护气体，以步骤(2)化学气相沉积W后的钛为基体，此步骤实验紧接步骤(2)进行；试验中的MoF6和H2气体流量由针阀及流量计控制，此步骤开始时先通Ar进反应室后再缓慢关闭H2，将反应室加热到钼沉积所需温度，同时把MoF6加热后进行气化，然后通入H2后关掉Ar，再通MoF6进行化学气相沉积，MoF6和H2摩尔比＝1:5；工艺温度为600℃-800℃，工艺时间为30min。/n
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