[发明专利]一种碳化硅半导体器件终端及其制造方法有效
| 申请号： | 201910829001.X | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110534559B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术领域，公开了一种碳化硅半导体器件终端及其制造方法，该终端结构包含数个阱区辅助环、一结终端扩展、数个结终端辅助环、数个基区辅助环和一钝化层。阱区辅助环位于阱区外侧，结终端扩展紧临阱区，其深度小于阱区的深度。结终端辅助环位于结终端扩展的外侧，基区辅助环位于结终端辅助环外侧。利用较少的光刻次数和离子注入次数，通过引入阱区辅助环、结终端辅助环和基区辅助环，优化高场区的电场分布，从而改善器件的阻断特性，提高了器件阻断电压对终端掺杂浓度的容忍度。本发明还提供了在碳化硅MOSFET器件中使用本终端结构的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 半导体器件 终端 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体器件终端，其特征在于，包含：/n数个阱区辅助环(3)、一结终端扩展(4)、数个结终端辅助环(5)、数个基区辅助环(6)和一钝化层(7)。其中，阱区辅助环(3)位于阱区(2)外侧，所述结终端扩展(4)紧临阱区(2)其深度小于阱区(2)的深度。结终端辅助环(5)位于结终端扩展(4)的外侧，基区辅助环(6)位于结终端辅助环(5)外侧。上述阱区辅助环(3)、结终端扩展(4)和结终端辅助环(5)和基区辅助环(6)的顶部有热氧化及PECVD形成的钝化层(7)。/n
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