[发明专利]一种掺杂二氧化锡透明导电复合薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201910830606.0 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110438477B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 刘俊成;孙明悦;王永;高亚男 | 申请(专利权)人: | 天津工业大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12 |
代理公司: | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人: | 朱芳斌 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种掺杂二氧化锡透明导电复合薄膜及其制备方法。所述透明导电薄膜包括衬底和依次附着于所述衬底上的过渡层和导电层;所述过渡层为具有金红石晶体结构的材料;所述导电层为第VA族及第VIIA族元素掺杂的二氧化锡。本发明解决了二氧化锡薄膜本身表面电阻高、导电性差的问题,最终制备的薄膜结晶度高、结构均匀性好,具有良好的导电性和附着力,并且采用的设备简单,易于控制,不需要特殊环境,易于实现大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 透明 导电 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掺杂二氧化锡透明导电复合薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜包括衬底和依次附着于所述衬底上的过渡层和导电层;所述过渡层为具有金红石晶体结构的材料;所述导电层为第V A族及第VIIA族元素掺杂的二氧化锡。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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