[发明专利]一种薄壁高性能铅硼聚乙烯复合核屏蔽材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910831338.4 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110951135A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈淑萍 | 申请（专利权）人： | 陈淑萍 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08L7/00;C08L23/16;C08K13/02;C08K5/39;C08K5/18;C08K3/08;C08K3/22;G21F1/10 |
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| 地址： | 236000 安徽省阜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄壁高性能铅硼聚乙烯复合核屏蔽材料的制备方法，包括以下操作步骤：（1）将杜仲胶、乙丙橡胶、高密度聚乙烯混炼后得到初段混炼胶；（2）将初段混炼胶、单质铅、单质硼、氧化锑、四氧化三钴、氧化锌、促进剂、防老剂、硫化剂混合后进行二段混炼，然后用平板硫化机硫化后，加入至模具中，在215‑230℃的环境中保温处理100‑120min后，趁高温及时热压制得核屏蔽材料。本发明提供的一种薄壁高性能铅硼聚乙烯复合核屏蔽材料的制备方法，操作简单，成本低廉，制得的铅硼聚乙烯复合核屏蔽材料，即使具有较薄的厚度，依然具有优异的核屏蔽性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄壁 性能 聚乙烯 复合 屏蔽 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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