[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201910831371.7 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110634748B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李展 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 在本申请所提供的薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管中，通过在基板上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、导电沟道图案，在所述栅极绝缘层以及所述导电沟道图案上沉积负性光阻层，并通过曝光显影工艺形成负性光阻图案，在所述栅极绝缘层、所述导电沟道图案以及所述负性光阻图案上依次沉积金属氧化物层、金属层以及正性光阻层，并通过曝光显影工艺形成正性光阻图案，通过刻蚀工艺对所述金属层进行刻蚀，以形成金属图案，采用光阻剥离工艺去除所述正性光阻图案以及所述负性光阻图案，以形成金属氧化物图案的制备方法，从而可以在采用透明导电薄膜作为扩散阻挡层材料的前提下不会产生底部裂纹和对铟镓锌氧化物背沟道层造成损伤等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n在基板上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、导电沟道图案；/n在所述栅极绝缘层以及所述导电沟道图案上沉积负性光阻层，并通过曝光显影工艺形成负性光阻图案；/n在所述栅极绝缘层、所述导电沟道图案以及所述负性光阻图案上依次沉积金属氧化物层、金属层以及正性光阻层，并通过曝光显影工艺形成正性光阻图案；/n通过刻蚀工艺对所述金属层进行刻蚀，以形成金属图案，所述金属图案包括第一源极和第一漏极；/n采用光阻剥离工艺去除所述正性光阻图案以及所述负性光阻图案，以形成金属氧化物图案，所述金属氧化物图案包括第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极位于所述第二源极上，所述第一漏极位于所述第二漏极上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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